Electronic and thermoelectric properties of impurity doped Mg2Si incorporating Mg-related defects
Electronic and thermoelectric properties of impurity doped Mg2Si incorporating Mg-related defects
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含有镁相关缺陷的杂质掺杂 Mg2Si 的电子和热电性能
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Naomi Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Naomi Hirayama;Tsutomu Iida;Hiroki Funashima;Shunsuke Morioka;Mariko Sakamoto;Keishi Nishio;Yasuo Kogo;Yoshifumi Takanashi;Noriaki Hamada;Naomi Hirayama
