Characterization of ion implantation quantum well intermixing for carrier confinement of VCSEL
Characterization of ion implantation quantum well intermixing for carrier confinement of VCSEL
复制标题
VCSEL 载流子限制的离子注入量子阱混合表征
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Tomoyuki Miyamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shouhei Moriwaki;Minoru Saito;Shogo Kunisada;and Tomoyuki Miyamoto
