Novel P-type Oxide Semiconductors of α-Ir2O3 in Gallium Oxide Electronics
Novel P-type Oxide Semiconductors of α-Ir2O3 in Gallium Oxide Electronics
复制标题
氧化镓电子器件中新型 α-Ir2O3 P 型氧化物半导体
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shizuo Fujita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kentaro Kaneko;Shin-ichi Kan;Shu Takemoto;Isao Takahashi;Masahiro Sugimoto;Takashi Shinohe;and Shizuo Fujita
