Hot-Implantation of Phosphorus Ions into 4H-SiC
Hot-Implantation of Phosphorus Ions into 4H-SiC
复制标题
磷离子热注入 4H-SiC
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.861
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Okushi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Imai;Setsuko Kobayashi;T. Shinohe;K. Fukuda;Yasunori Tanaka;J. Senzaki;H. Tanoue;N. Kobayashi;H. Okushi
