T.Yoshida: "Realization of UHV-Compativle Defect-Free Hydrogen Terminated Silicon Surfaces with the Use of UHV Contactless Capacitance-Voltage Method"Applied Surface Science. 175/176. 163-168 (2001)
T.Yoshida: "Realization of UHV-Compativle Defect-Free Hydrogen Terminated Silicon Surfaces with the Use of UHV Contactless Capacitance-Voltage Method"Applied Surface Science. 175/176. 163-168 (2001)
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T.Yoshida：“利用特高压非接触电容电压方法实现特高压兼容无缺陷氢封端硅表面”应用表面科学。
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