Atomic scale characterization of GaInN/GaN layers grown on sapphire substrates with low-temperature deposited AlN buffer layers
Atomic scale characterization of GaInN/GaN layers grown on sapphire substrates with low-temperature deposited AlN buffer layers
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在具有低温沉积 AlN 缓冲层的蓝宝石衬底上生长的 GaInN/GaN 层的原子尺度表征
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)02070-x
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
I. Akasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tabuchi;H. Kyouzu;Y. Takeda;S. Yamaguchi;H. Amano;I. Akasaki
