Thermal stability of Ni silicide films on heavily doped n+ and p+ Si substrates
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DOI：
10.1016/j.mee.2008.04.001
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发表时间：
2008-07
影响因子：
2.3
通讯作者：
P. Ahmet;T. Shiozawa;K. Nagahiro;T. Nagata;K. Kakushima;K. Tsutsui;T. Chikyow;H. Iwai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Ahmet;T. Shiozawa;K. Nagahiro;T. Nagata;K. Kakushima;K. Tsutsui;T. Chikyow;H. Iwai
