Atomistic Structure Analysis of 3C-SiC/Si(001) Interface and Stacking Faults by Aberration-Corrected Transmission Electron Microscopy
Atomistic Structure Analysis of 3C-SiC/Si(001) Interface and Stacking Faults by Aberration-Corrected Transmission Electron Microscopy
复制标题
通过像差校正透射电子显微镜分析 3C-SiC/Si(001) 界面和堆垛层错的原子结构
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Nomura and N. Tanaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Yamasaki;S. Inamoto;Y. Nomura and N. Tanaka
