SiドープMOS容量の電気的特性
SiドープMOS容量の電気的特性
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硅掺杂MOS电容器的电气特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松田敏弘他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Yasui;K.Shimomai;M.Futamoto;M.Ohtake;松田敏弘他
