High Trapped Fields in C-doped MgB2 Bulk Superconductors Fabricated by Infiltration and Growth Process.
High Trapped Fields in C-doped MgB2 Bulk Superconductors Fabricated by Infiltration and Growth Process.
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通过渗透和生长工艺制造的 C 掺杂 MgB2 体超导体中的高俘获场。
DOI：
10.17863/cam.32796
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Bhagurkar A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bhagurkar A
