Trapping effect evaluation of gateless AlGaN/ GaN heterojunction field-effect transistors using transmission-line-model method
Trapping effect evaluation of gateless AlGaN/ GaN heterojunction field-effect transistors using transmission-line-model method
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使用传输线模型方法评估无栅 AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管的捕获效应
DOI：
10.1063/1.3506583
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Tajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C.-Y. Hu;T. Hashizume;K. Ohi;M. Tajima
