薄膜修飾したカーボン電極を用いるシーケンシャルインジェクション-アノーディックストリッピングボルタンメトリーによるヒ素(III)の定量
薄膜修飾したカーボン電極を用いるシーケンシャルインジェクション-アノーディックストリッピングボルタンメトリーによるヒ素(III)の定量
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薄膜修饰碳电极连续注射阳极溶出伏安法测定砷(III)
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Orawon CHAILAPAKUL
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Eakkasit PUNRAT;高柳俊夫;Suchada CHUANUWATANAKUL;金田隆;本水昌二;Orawon CHAILAPAKUL
