Schottky and heterojunction diodes based on poly(3-octylthiophene) and poly(3-methylthiophene) films of high tensile strength
Schottky and heterojunction diodes based on poly(3-octylthiophene) and poly(3-methylthiophene) films of high tensile strength
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基于高拉伸强度聚（3-辛基噻吩）和聚（3-甲基噻吩）薄膜的肖特基和异质结二极管
DOI：
10.1016/s0040-6090(99)00275-8
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Zhiqiang Gao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. V. Vardhanan;L. Zhou;Zhiqiang Gao
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Control of Inorganics/Polymers Nano-Interfaces (Ed.By the Society of Polymer Science, Jpn)
影响因子：
--
作者：
Aki Inase;Aki Inase;Aki Inase;Miho Higurashi;Miho Higurashi;Miho Higurashi;山田 淳;Shunji Abe et al.;Tomohisa Ogawa;N.Terasaki et al.;T.Ohkuma;Ana M.Ruiz et al.;T.Ohkuma;N.Terasaki et al.;Masahiro Kugishima et al.;Tomohisa Ogawa;M.Suzuki et al.;Katsuyoshi Hoshino
通讯作者：
Katsuyoshi Hoshino