Ga2O3 nanowires prepared by physical evaporation
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DOI：
10.1016/s0038-1098(99)00015-0
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发表时间：
1999-03
影响因子：
2.1
通讯作者：
Hongzhou Zhang;Y. Kong;Y. Wang;X. Du;Z. Bai;Jing Wang;D. Yu;Yi-min Ding;Q. Hang;S. Feng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hongzhou Zhang;Y. Kong;Y. Wang;X. Du;Z. Bai;Jing Wang;D. Yu;Yi-min Ding;Q. Hang;S. Feng
