Modeling of Si self-diffusion in SiO_2 : Effect of the Si/SiO_2 interface including time-dependent diffusivity
Modeling of Si self-diffusion in SiO_2 : Effect of the Si/SiO_2 interface including time-dependent diffusivity
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Si 在 SiO_2 中自扩散的模拟：Si/SiO_2 界面的影响，包括随时间变化的扩散率
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Uematsu;A.Fujiwara;H.Kageshima;Y.Takahashi;他
