外部輸送した水素ラジカルによるSiCl4還元からのSi作製
外部輸送した水素ラジカルによるSiCl4還元からのSi作製
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通过外部传输氢自由基还原 SiCl4 制备 Si
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
角谷 正友
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡本 裕二;中村 祐也;鈴木 義和;角谷 正友
