T.Maatsuura, J.Murata, Y.Sawada, and T.Ohmi: "Layr-by-layr etching of Si by self-limited adsorption of chlorine with alternated irradiation of low energy Ar^+ ions" Ext. Abstr. Int. Conf. on Solid State devices and Materials. August 29 - September 1. 83-8
T.Maatsuura, J.Murata, Y.Sawada, and T.Ohmi: "Layr-by-layr etching of Si by self-limited adsorption of chlorine with alternated irradiation of low energy Ar^+ ions" Ext. Abstr. Int. Conf. on Solid State devices and Materials. August 29 - September 1. 83-8
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T.Maatsuura、J.Murata、Y.Sawada 和 T.Ohmi：“通过低能 Ar 离子的交替照射，通过氯的自限吸附来逐层蚀刻 Si”。
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