Plasma resistance of transparent Y2O3 ceramics prepared by slip casting: A comparison with translucent Al2O3
Plasma resistance of transparent Y2O3 ceramics prepared by slip casting: A comparison with translucent Al2O3
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粉浆浇铸法制备的透明 Y2O3 陶瓷的等离子体电阻：与半透明 Al2O3 的比较
DOI：
10.1016/j.matchemphys.2019.05.018
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发表时间：
2019-06
影响因子：
4.6
通讯作者：
Shiwei Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei Liu;Lingling Jin;Shiwei Wang
研究了注浆成型法制备的半透明Y2O3陶瓷的抗等离子体性能，并与半透明Al2O3陶瓷进行了比较。对于透明的Y2O3，蚀刻后的颜色几乎不变，而对于半透明的Al2O3，蚀刻后的颜色变为灰色。对于透明的Y2O3，刻蚀前后的透射率几乎没有变化，而对于半透明的Al2O3，刻蚀后的透射率降低了约5%。半透明Al2O3陶瓷的刻蚀深度（约270 nm）大于透明Y2O3陶瓷的刻蚀深度（约200 nm）。通过光学显微镜和扫描电镜对透明陶瓷Y2O3和Al2O3的表面形貌进行观察，发现透明陶瓷Al2O3的腐蚀痕迹比Y2O3明显。
The plasma resistance of translucent Y2O3ceramic prepared by slip casting was studied and compared with that of translucent Al2O3ceramic. The color after etching is almost unchanged for transparent Y2O3, while the color turns grey after etching for translucent Al2O3. The in-line transmittance (IT) for transparent Y2O3is almost unchanged before and after etching while IT reduces ∼5% after etching for translucent Al2O3. The etching depth of translucent Al2O3ceramic (∼270 nm) is deeper than that of transparent Y2O3ceramic (∼200 nm). The surface morphology of transparent ceramics Y2O3and Al2O3using optical microscope and SEM both show that the etching traces of translucent Al2O3ceramic are more obvious than that of Y2O3.
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影响因子：
5.2
作者：
S. Zinatloo-Ajabshir;Z. Salehi;M. Salavati‐Niasari
通讯作者：
S. Zinatloo-Ajabshir;Z. Salehi;M. Salavati‐Niasari
影响因子：
8.4
作者：
S. Zinatloo-Ajabshir;S. Mortazavi-derazkola;M. Salavati‐Niasari
通讯作者：
S. Zinatloo-Ajabshir;S. Mortazavi-derazkola;M. Salavati‐Niasari
影响因子：
2.5
作者：
Sang-Jun Park;Jungki Lee;Y. Oh;Seongwong Kim;Hyungsun Kim;Sung-Min Lee
通讯作者：
Sang-Jun Park;Jungki Lee;Y. Oh;Seongwong Kim;Hyungsun Kim;Sung-Min Lee
DOI：
10.1007/s10854-017-7726-4
发表时间：
2017-08
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
影响因子：
--
作者：
S. Zinatloo-Ajabshir;S. Mortazavi-derazkola;M. Salavati‐Niasari
通讯作者：
S. Zinatloo-Ajabshir;S. Mortazavi-derazkola;M. Salavati‐Niasari
DOI：
10.1111/j.1151-2916.1996.tb07998.x
发表时间：
1996-07-01
影响因子：
3.9
作者：
Chen, PL;Chen, IW
通讯作者：
Chen, IW