Fabrication of single-electron transistors with electromigrated Ni nanogaps
Fabrication of single-electron transistors with electromigrated Ni nanogaps
复制标题
具有电迁移镍纳米间隙的单电子晶体管的制造
DOI：
10.1063/1.5031822
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Shirakashi Jun-ichi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ito Mitsuki;Yagi Mamiko;Shirakashi Jun-ichi
