H.Nakamura: "Existence of Double-Charged Oxide Traps in Submicron MOSFETs" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L2057-2060 (1989)
H.Nakamura: "Existence of Double-Charged Oxide Traps in Submicron MOSFETs" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L2057-2060 (1989)
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H.Nakamura：“亚微米 MOSFET 中双电荷氧化物陷阱的存在”日本应用物理学杂志。
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