Crystal Growth with Oxygen Partial Pressure of the BaCuSi2O6 and Ba1–xSrxCuSi2O6 Spin Dimer Compounds
Crystal Growth with Oxygen Partial Pressure of the BaCuSi2O6 and Ba1–xSrxCuSi2O6 Spin Dimer Compounds
复制标题
BaCuSi2O6 和 Ba1âxSrxCuSi2O6 自旋二聚体化合物在氧分压下的晶体生长
DOI：
10.1021/acs.cgd.6b00399
复制
发表时间：
2016
影响因子：
3.8
通讯作者：
Assmus
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
van Well;Puphal;Wehinger;Schefer;Rüegg;Ritter;Krellner;Assmus
BaCuSi 2 O 6是一个准二维自旋二聚体系统，是研究强磁场下磁振子玻色-爱因斯坦凝聚（BEC）的模型材料。新的Ba_（1-x）Sr_xCuSi_2 O_6混合体系（x ≤ 0.3）和BaCuSi_2 O_6（均采用提高氧分压的晶体生长方法生长）在室温下具有相同的四方晶系结构（I_（41）/acd）。该混合体系没有显示出结构相变，使得四元结构在低温下是稳定的。氧分压作为生长过程的控制参数。一个详细的了解的晶体结构取决于氧含量将使研究的自旋动力学的场致有序状态在这个模型的磁性化合物的高电流的兴趣，只有一种类型的二聚体层，这表明相同的距离之间的Cu原子，在结构中。
BaCuSi2O6is a quasi-two-dimensional spin dimer system and a model material for studying Bose–Einstein condensation (BEC) of magnons in high magnetic fields. The new Ba1–xSrxCuSi2O6mixed system, which can be grown withx≤ 0.3, and BaCuSi2O6, both grown by using a crystal growth method with enhanced oxygen partial pressure, have the same tetragonal structure (I41/acd) at room temperature. The mixed system shows no structural phase transition so that the tetragonal structure is stable down to low temperatures. The oxygen partial pressure acts as a control parameter for the growth process. A detailed understanding of the crystal structure depending on the oxygen content will enable the study of the spin dynamics of field-induced order states in this model magnetic compound of high current interest with only one type of dimer layers, which shows the same distance between the Cu atoms, in the structure.
登录
查看更多内容
层间挫败反铁磁体的量子相变和降维
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
Oliver Rosch;M. Vojta
通讯作者：
M. Vojta
BaCuSi(2)O(6) 结构的重新研究——高温相变的证据。
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Acta Crystallographica Section B Structural Science
影响因子：
--
作者：
K. Sparta;G. Roth
通讯作者：
G. Roth
差示热分析 einiger bei sehr hohen 温度 zerfallender Karbonatminerale
DOI：
--
发表时间：
1967
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Smykatz
通讯作者：
W. Smykatz
X射线荧光光谱法测定四硼酸锂熔融小地质样品中的微量元素
DOI：
--
发表时间：
1978
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Jagoutz;C. Palme
通讯作者：
C. Palme
自旋间隙化合物 BaCuSi2O6 的低温结构相变和不通约晶格调制
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. C. Samulon;Z. Islam;S. Sebastian;P. B. Brooks;M. K. McCourt;J. Ilavsky;I. Fisher
通讯作者：
I. Fisher