"High Temperature Retention Study of MoS2/h-BN/MoS2 Hetero-Stack Based Non-Volatile Memory",
"High Temperature Retention Study of MoS2/h-BN/MoS2 Hetero-Stack Based Non-Volatile Memory",
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“基于MoS2/h-BN/MoS2异质堆栈的非易失性存储器的高温保持研究”，
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Sasaki,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Uwanno;T. Taniguchi;K. Watanabe;K. Nagashio,;三村秀和;K. Nagashio,;N. Higashitarumizu,;伊藤旺成，伊藤駿祐，毛利柊太郎，山口豪太，三村秀和;T. Sasaki,
