Electrical characterization of high-k gate dielectrics fabricated using plasma oxidation and post deposition annealing of Hf/SiO_2/Si Structure
Electrical characterization of high-k gate dielectrics fabricated using plasma oxidation and post deposition annealing of Hf/SiO_2/Si Structure
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使用 Hf/SiO_2/Si 结构的等离子体氧化和沉积后退火制造的高 k 栅极电介质的电学特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Sugimoto;H.Adachi;K.Yamamoto;D.Wang;H.Nakashima;H.Nakashima
