Near- and far-infrared quantum cascasde lasers based on GaAs and GaN materials: devices design and MBE growth
Near- and far-infrared quantum cascasde lasers based on GaAs and GaN materials: devices design and MBE growth
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基于 GaAs 和 GaN 材料的近红外和远红外量子级联激光器：器件设计和 MBE 生长
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hideki Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Li Wang;Tsung-Tse Lin;Ke Wang;and Hideki Hirayama
