Corundum-Structured α-In2O3 as a Wide-Bandgap Semiconductor
Corundum-Structured α-In2O3 as a Wide-Bandgap Semiconductor
复制标题
刚玉结构 α-In2O3 作为宽带隙半导体
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kentaro Kaneko
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shizuo Fujita;Masashi Kitajima;and Kentaro Kaneko
