MBE法によるSi基板上化合物半導体ナノワイヤ成長と評価
MBE法によるSi基板上化合物半導体ナノワイヤ成長と評価
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MBE法在Si衬底上生长化合物半导体纳米线并评价
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山口雅史，白 知鉉，田畑拓也，本田善央，天野 浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kazuaki Oniwa;Thangavel Kanagasekaran;Tienan Jin;Md. Akhtaruzzaman;Yoshinori Yamamoto;Hiroyuki Tamura;Ikutaro Hamada;Hidekazu Shimotani;Naoki Asao;Susumu Ikeda;and Katsumi Tanaigaki;山口雅史，白 知鉉，田畑拓也，本田善央，天野 浩
