Y.Miyamoto: "Barrier thickness dependence of peak current density in GaInAs/A1As/InP resonant tunneling diodes by MOVPE"Solid State Electronics. 43. 1395 (1999)
Y.Miyamoto: "Barrier thickness dependence of peak current density in GaInAs/A1As/InP resonant tunneling diodes by MOVPE"Solid State Electronics. 43. 1395 (1999)
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Y.Miyamoto：“MOVPE 的 GaInAs/AlAs/InP 谐振隧道二极管中峰值电流密度的势垒厚度依赖性”固态电子学。
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