Formation Speed of Atomically Flat surface on Si(100) in Ultra-Pure Argon
Formation Speed of Atomically Flat surface on Si(100) in Ultra-Pure Argon
复制标题
超纯氩中 Si(100) 原子平坦表面的形成速度
DOI：
10.1016/j.mee.2011.06.014
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发表时间：
2011
影响因子：
2.3
通讯作者：
Xiang Li
中科院分区：
文献类型：
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作者：
永野敦士;荻野要介;大西直文;澤田恵介;A.Ando;Xiang Li
