Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所
Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所
复制标题
使用多晶硅电极对 SiC MOS 电容器进行介质击穿后发现的特征击穿位置
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
丹羽正昭
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
佐藤創志;山部紀久夫;遠藤哲郎;丹羽正昭
