Horizontal growth of MoS2 nanowires by chemical vapour deposition
Horizontal growth of MoS2 nanowires by chemical vapour deposition
复制标题
化学气相沉积水平生长MoS2纳米线
DOI：
10.1039/c5ra13733k
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发表时间：
2015-01-01
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Ye, Shuangli
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Han, Shuming;Yuan, Cailei;Ye, Shuangli
我们描述了使用化学气相沉积（CVD）方法合成二硫化钼丝的一步路线。通过调整CVD生长参数，在SiO2/Si衬底上成功地合成了水平取向的MoS 2纳米线。MoS 2纳米线具有高度约93 nm和宽度约402 nm的多层结构。这些水平的二硫化钼纳米线可以观察到良好的局部光致发光（PL）特性。水平MoS 2纳米线的成功制备和显著的光致发光效应为MoS 2基平面器件提供了潜在的应用前景。
We describe a single step route for the synthesis of MoS2 wires using a chemical vapour deposition (CVD) method. By tuning the CVD growth parameters, the horizontally oriented MoS2 nanowires on SiO2/Si substrate can be synthesized successfully. The MoS2 nanowire has height of about 93 nm and width of about 402 nm with multilayer structure. Good local photoluminescence (PL) properties can be observed for these horizontal MoS2 nanowires. The successful fabrication and prominent PL effect of the horizontal MoS2 nanowires provide potential applications for the MoS2-based in planar devices.