Modeling and Prediction of Hydrogen-Assisted Morphological Evolution in Silicon Utilizing a Level-Set Approach
Modeling and Prediction of Hydrogen-Assisted Morphological Evolution in Silicon Utilizing a Level-Set Approach
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利用水平集方法对硅中氢辅助形态演化进行建模和预测
DOI：
10.1109/jmems.2021.3115715
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发表时间：
2021
影响因子：
2.7
通讯作者：
J. Knoch
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Sun;S. Scholz;A. Kemper;T. Grap;J. Knoch
