InP MOSFETs Exhibiting Record 70 mV/dec Subthreshold Swing
InP MOSFETs Exhibiting Record 70 mV/dec Subthreshold Swing
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InP MOSFET 呈现创纪录的 70 mV/dec 亚阈值摆幅
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Rodwell, Mark
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tseng, Hsin-Ying;Fang, Yihao;Zhong, Shibo;Rodwell, Mark
