Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs

Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs
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表面充电和界面态对 GaN HEMT 电流稳定性的影响

DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
Proceedings of the 39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
影响因子：
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通讯作者：
K. Nishiguchi
K. Nishiguchi
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T. Hashizume;Z. Yatabe;K. Nishiguchi

文献摘要

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