High Gm In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As high electron mobility transistors grown lattice-mismatched on GaAs substrates
High Gm In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As high electron mobility transistors grown lattice-mismatched on GaAs substrates
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在 GaAs 衬底上晶格失配生长的高 Gm In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As 高电子迁移率晶体管
DOI：
10.1016/0022-0248(95)80135-y
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发表时间：
1995
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Kudo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Mishima;K. Higuchi;Mori Mitsuhiro;M. Kudo
