Ion Implantation for Strain Engineering of Si-based Semiconductor
Ion Implantation for Strain Engineering of Si-based Semiconductor
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硅基半导体应变工程的离子注入
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kentarou Sawano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
菅間良太;山岸郷志;阪口基己;岡崎正和;深沼博隆;若井彩子・深沢宏樹・西嶋政樹・福原学・楊成・森直・井上佳久;Kentarou Sawano
