S.Kodama and H.Hasegawa: "Control of Sillicon Nitride-In_<0.53> Ga_<0.47> As Interface by Ultrahin Sillicon Interface Control Layer" Proc.of 1st Int.Symp.Control of Scmiconductor Interfaces(Karuizawa,Japan). to be published.(1994)
S.Kodama and H.Hasegawa: "Control of Sillicon Nitride-In_<0.53> Ga_<0.47> As Interface by Ultrahin Sillicon Interface Control Layer" Proc.of 1st Int.Symp.Control of Scmiconductor Interfaces(Karuizawa,Japan). to be published.(1994)
复制标题
S.Kodama 和 H.Hasekawa：“通过 Ultrahin 硅界面控制层控制氮化硅-In_<0.53> Ga_<0.47> 作为界面”Proc.of 1st Int.Symp.Control of Scmiconductor Interfaces（轻井泽，日本）。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
