Avalanche ruggedness of 800V Lateral IGBTs in bulk Si
Avalanche ruggedness of 800V Lateral IGBTs in bulk Si
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块状硅中 800V 横向 IGBT 的雪崩耐用性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Camuso G
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Camuso G
