Scalable fabrication of GaN on amorphous substrates via MOCVD on highly oriented silicon seed layers
Scalable fabrication of GaN on amorphous substrates via MOCVD on highly oriented silicon seed layers
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通过 MOCVD 在高度取向的硅种子层上可扩展地在非晶衬底上制造 GaN
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2020.125522
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发表时间：
2020
影响因子：
1.8
通讯作者：
Usami Noritaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hainey Mel;Robin Yoann;Avit Geoffrey;Amano Hiroshi;Usami Noritaka
