誘電率ミスマッチによる高ドープ Si 薄膜中の不純物のイオン化エネルギー上昇の解析
誘電率ミスマッチによる高ドープ Si 薄膜中の不純物のイオン化エネルギー上昇の解析
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高掺杂Si薄膜中介电常数失配导致杂质电离能增加的分析
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中貴久，高橋綱己，内田建
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Terumitsu Tanaka;Shota Kashiwagi;Yasushi Kanai and Kimihide Matsuyama;T. Tanaka and K. Uchida;田中貴久，高橋綱己，内田建
