Positive Bias Instability in ZnO TFTs with Al 2 O 3 Gate Dielectric
Positive Bias Instability in ZnO TFTs with Al 2 O 3 Gate Dielectric
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具有 Al 2 O 3 栅极电介质的 ZnO TFT 的正偏压不稳定性
DOI：
10.1109/irps.2019.8720547
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Young, Chadwin D.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bolshakov, Pavel;Rodriguez-Davila, Rodolfo A.;Quevedo-Lopez, Manuel;Young, Chadwin D.
