Growth of GaN layers using Ga2O vapor obtained from Ga and H2O vapor
Growth of GaN layers using Ga2O vapor obtained from Ga and H2O vapor
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使用从 Ga 和 H2O 蒸气获得的 Ga2O 蒸气生长 GaN 层
DOI：
10.7567/jjap.54.051001
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发表时间：
2015
影响因子：
1.5
通讯作者：
Yusuke Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tomoaki Sumi;Yuuki Taniyama;Hiroaki Takatsu;Masami Juta;Akira Kitamoto;Mamoru Imade;Masashi Yoshimura;Masashi Isemura;Yusuke Mori
