逆バイアス印加を用いた感度温度無依存4H-SiC pnフォトダイオード
逆バイアス印加を用いた感度温度無依存4H-SiC pnフォトダイオード
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使用反向偏置应用的灵敏度与温度无关的 4H-SiC pn 光电二极管
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡辺直樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
杉山勇太;松尾亜紀子;渡辺直樹;渡辺直樹
