Towards Ultra-Low-Noise MoAu Transition Edge Sensors
Towards Ultra-Low-Noise MoAu Transition Edge Sensors
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迈向超低噪声 MoAu 过渡边缘传感器
DOI：
10.1007/s10909-012-0575-x
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发表时间：
2012
影响因子：
2
通讯作者：
Goldie D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Goldie D
我们报告我们的第一个MoAu过渡边缘传感器（TES）的初步测量。由40 nm Mo和106 nm Au的双层形成的TES显示出约320 mK的转变温度，高于具有MoCu双层的相同TES，这与双层膜之间降低的电子透射系数一致。我们报告的热导测量在200 nm厚的氮化硅SiNx支持结构在此温度下，TES动态行为和电流噪声测量。
We report initial measurements on our first MoAu transition edge sensors (TESs). The TESs formed from a bilayer of 40 nm of Mo and 106 nm of Au showed transition temperatures of about 320 mK, higher than identical TESs with a MoCu bilayer which is consistent with a reduced electron transmission coefficient between the bilayer films. We report measurements of thermal conductance in the 200 nm thick silicon nitride SiNxsupport structures at this temperature, TES dynamic behaviour and current noise measurements.
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