M.Okuyama, H.Sugiyama, T.Nakaiso, M.Noda: "Retention Analysis of the Memorized States of the MFIS Structure for Ferroelectric-Gate FET Memory by Considering Leakage Current Through Ferroelectric and Insulator Layers"Integrated Ferroelectrics. Vol.34. 37-4
M.Okuyama, H.Sugiyama, T.Nakaiso, M.Noda: "Retention Analysis of the Memorized States of the MFIS Structure for Ferroelectric-Gate FET Memory by Considering Leakage Current Through Ferroelectric and Insulator Layers"Integrated Ferroelectrics. Vol.34. 37-4
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M.Okuyama、H.Sugiyama、T.Nakaiso、M.Noda：“考虑通过铁电体和绝缘体层的漏电流，对铁电栅 FET 存储器的 MFIS 结构的记忆状态进行保留分析”集成铁电体。
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