収束イオンビームを用いたPドープSOI基板へのGaイオン注入とそのゼーベック係数
収束イオンビームを用いたPドープSOI基板へのGaイオン注入とそのゼーベック係数
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使用聚焦离子束将 Ga 离子注入 P 掺杂 SOI 衬底及其塞贝克系数
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木悠平，ファイズ・サレ，下村勝，石田明広，池田浩也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Suzuki;F. Salleh;M. Shimomura;A. Ishida;H. Ikeda;鈴木悠平，ファイズ・サレ，下村勝，石田明広，池田浩也
