High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain
High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain
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具有 HfGe 肖特基源极/漏极的高空穴迁移率 Ge p-MOSFET
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Sada;K. Yamamoto;H. Yang;D. Wang;H. Nakashima
