Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討
Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討
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Al2O3/GaSb MOS界面结构绝缘膜沉积预处理的思考
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
前田辰郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
後藤高寛;藤川紗千恵;藤代博記;小倉睦郎;安田哲二;前田辰郎
