Mobility Enhancement in Extremely-Thin Body (110) SiGe-on-insulator pMOSFETs using Starting Substrates with Thin SiGe Layers
Mobility Enhancement in Extremely-Thin Body (110) SiGe-on-insulator pMOSFETs using Starting Substrates with Thin SiGe Layers
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使用具有薄 SiGe 层的起始衬底增强极薄体 (110) 绝缘体上 SiGe pMOSFET 的迁移率
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C.-T. Chen;X. Han;K. Toprasertpong;M. Takenaka;and S. Takagi
