PLD法を用いて作製したBi2SiO5エピタキシャル薄膜の強誘電特性
PLD法を用いて作製したBi2SiO5エピタキシャル薄膜の強誘電特性
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PLD法制备Bi2SiO5外延薄膜的铁电性能
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小寺正徳・清水荘雄・舟窪浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
吉田恒也;初貝安弘;小寺正徳・清水荘雄・舟窪浩
