Sub-um Electrode Spacing SOI-PIN Photodiode Fabricated by CMOS Compatible Process
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采用 CMOS 兼容工艺制造的亚微米电极间距 SOI-PIN 光电二极管
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Iiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Mitsuno;T. Maruyama;K. Iiyama
